C-MOSI basierter IR-Emitter im SMD-Gehäuse, Si ARC-Fenster, Füllgas Luft

Der kosteneffiziente Infrarot-Emitter JSIR340-4 ist optimiert für die NDIR Gasanalyse und andere Infrarot Messanwendungen wie DIR Spektroskopie, ATR Spektroskopie oder PAS Spektroskopie. Die Membran der CMOS basierten IR-Emitter erreicht Membrantemperaturen von bis zu 800 °C. Sie ermöglicht eine langzeitstabile Strahlungsleistung für industrielle Anwendungen zur Kontrolle und Überwachung von Prozessgasen bei Umgebungstemperaturen zwischen -20 und 85 °C.
Der Silizium Filter optimiert die Strahlungsleistung im Wellenlängen Bereich von UV bis 14 µm.
Als SMD Package ist der JSIR340 besonders für automatisierte pick-and-place-Montage und für hohe Stückzahlen geeignet.

Der in unseren IR Emittern verwendete MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, die eine hochtemperaturstabile Metall- C-MOSI-Schicht enthält. Der Emitter Chip hat eine aktive Fläche von 2.2 x 2.2 mm² und basiert auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit Standard-MEMS-Prozessen und CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt. Die aktive C-MOSI Widerstandsschicht ist gegen Alterungseinflüsse und Umwelt geschützt.

Unser Vertriebsteam berät Sie gern zu kundenspezifische Anpassungen und Staffelpreisen für hohe Stückzahlen. Weitere technische Informationen finden Sie im Datenblatt.