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Quad JSIR 350-4 Emitter, TO8 mit Reflektor, offen
Premium Quad-IR-Emitter mit hoher Modulationsfrequenz für NDIR Gasanalyse
- Zeitkonstante von 12,5 ms
- Hohe und langzeitstabile Strahlungsleistung
- Lange Lebensdauer
- Anwendungen: z.B. in Luft und Raumfahrt, Medical, Industrie/Rohstoffe und Ressourcen sowie Industrie/ Produktions- und Verfahrenstechnik
Staffelpreise
ab 10 | 163,66 € |
ab 25 | 119,18 € |
ab 50 | 99,31 € |
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Beschreibung
Dieser Premium IR Strahler mit 4 Chips auf einem TO8 Sockel eignet sich besonders zur Messung von Gasen in sehr geringen Konzentrationen oder Gasen mit geringer Absorption. Dies erfordert häufig eine längere Messstrecke.
Weltweit einzigartig, verfügt dieses MEMS basierte Pendant zum Glühwendelstrahler über eine deutlich höhere Lebensdauer und weniger Drift. Im Gegensatz zu Glühwendel-Infrarotquellen ist der JSIR 350-4 Quademitter modulierbar und benötigt keinen zusätzlichen Chopper. Die Hochleistungsmembran aus nanoamorphem Carbon erzielt Membrantemperaturen von bis zu 850 °C für eine hohe und langzeitstabile Strahlungsleistung. Der JSIR 350-4 Quad IR-Emitter ist ideal für verschiedene Gasanalyseanwendungen in der Medizin, Industrie Luft- und Raumfahrt und anderen anspruchsvollen Anwendungsbereichen.
Der IR Strahler kann mit MTS Thermopile-Detektoren oder mit MPS Pyro-Detektoren verwendet werden. Die Kombination mit Micro-Hybrid-IR-Detektoren garantiert optimale Leistung und sichert präzise Messergebnisse bei der Analyse von Gaskonzentrationen. Unser Vertriebsteam berät Sie gerne über Anpassungen und Staffelpreise für hohe Stückzahlen. Weitere technische Informationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Technische Daten
Emissionsbereich min | 2 µm |
Emissionsbereich max | 15 µm |
Aktive Fläche | 2,2 x 2,2 mm² |
Heißwiderstand | 40 ± 20 Ω |
Temperaturkoeffizient | 500 ppm/K |
Zeitkonstante | 12,5 ms |
Nennleistungsaufnahme | 650 mW |
Betriebsspannung | 4,9 V |
Betriebsstrom | 132 mA |
Empfohlener Betriebsmodus |
Konstantleistungsmodus
|
Geschätzte Betriebsdauer |
> 5000 h bei 740 °C; > 100000 h bei 610 °C
|
Temperatur der aktiven Fläche | 610 ± 30 °C |
Maximale Leistungsaufnahme | 1.000 mW |
Maximale Gehäusetemperatur | 120 °C |
Maximale Temperatur der aktiven Fläche | 850 °C |
Sockel | TO8 |